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4月19日下午15:00,中国工程院院士、工程电介质领域科学家、我校高电压与绝缘技术学科雷清泉教授,在电气学院G1012会议室为我校相关专业师生做学术讲座。出席讲座的有电气与电子工程学院院长陈庆国教授、党委书记张军、重点实验室主任赵洪教授、学术委员会主任李忠华教授和来自电气学院、理学院、材料学院的教授、青年骨干教师及相关专业博士、硕士研究生110余人。

讲座中,雷院士特别介绍了复合电介质中具有分形时间与分形逾渗结构,以及空间电荷注入由浅至深陷阱的俘获截面判据以及电介质中类氢原子的陷阱模型。描述低电场下电介质极化与电导的时域–频域响应,补充了与强低频弥散密切相关的分形时间与分形结构的普适响应。通过分析空间电荷极化与电导的相关研究方法,提出强电场下几种典型的电子电导相关性及其区分方法:等温衰减、热激电流与时域–频域谱三者之间的等效性;为了让师生更好的理解这一过程,雷院士以SCLC(空间电荷限制电流)图形法为例详细讲解了陷阱深度与密度的相关特性,说明如何运用不同理论模型,多角度、多层次地深入理解实验结果。同时雷老师建议大家深刻剖析已有的理论公式,明确其概念、意义和适用条件,要以辩证的思维分析问题解决问题,不断建立起科学的思维方式,从而达到在基本理论上对研究结果进行深刻认识的高度。

雷院士虽已年逾八旬,但仍然精神矍铄,在两个小时的讲座中,各种知识融会贯通,信手拈来,理论推导严谨,思维清晰。不但体现了一位在电绝缘领域孜孜以求,奋斗不止的老科学家深厚学养和创新精神,也为广大青年教师和研究生作出了表率。讲座结束后,雷院士与参加讲座的部分老师合影留念。

雷清泉院士简介:

雷清泉教授,男,1938年生,中国工程院院士。1962年毕业于西安交通大学,1981-1983公派留学西德Hannover大学;1993.10-1993.11日本大版大学客座研究员,IEEE高级会员,ICPADM2009国际学术会议主席;现任“电力设备电气绝缘国家重点实验室”学术委员会主任委员(西安交通大学);“电子薄膜与集成器件国家重点实验室”学术委员会主任委员(电子科技大学);北京清华大学、西安交通大学、上海交通大学、北京交通大学、大连理工大学兼职教授,武汉大学讲座教授;中国电工技术学会工程电介质专业委员会终身名誉主任、中国物理学会电介质物理专业委员会委员;第九、十届国家自然科学基金材料与工程学部评议组成员,主持国家973项目1项、国家自然科学重点项目2项,国家自然科学基金面上项目2项;获国家技术发明二等奖1项、省部级科技进步一等奖和二等奖各1项;出版学术专著3部,发表论文200余篇;培养博士生20余名,硕士生50余名;荣获全国劳动模范和建国60年“感动龙江英才”荣誉称号。2009年主持了“纳米电介质的多层次结构及其宏观性能”香山科学会议,提出了加强介观或纳米尺度结构与微观结构及宏观性能之间关系研究,探索微观-介观-宏观性能三者之间相互关系与理论模型的跨学科、前瞻性和挑战性的重大科学问题,推动了纳米电介质领域的深入发展。

雷清泉院士讲座

聆听讲座师生

师生交流

雷清泉院士与部分师生合影

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